3D NAND Flash Memory의 DCP와 NLSB Recovery Time 분석
Analysis of DCP and NLSB Recovery Time in 3D NAND Flash Memory
- 주제(키워드) 3D NAND , DCP(Down Coupling Phenomenon) , NLSB(Natural Local Self Boosting) , TCAD
- 발행기관 한국교통대학교 일반대학원
- 지도교수 강명곤
- 발행년도 2023
- 학위수여년월 2023. 2
- 학위명 석사
- 학과 및 전공 일반대학원 전자공학과
- 세부전공 전자공학 전공
- 세부분야 해당없음
- 원문페이지 iv, 29 p.
- 파일정보 HWP
- 실제URI http://www.dcollection.net/handler/chains/200000667859
- UCI I804:43010-200000667859
- 본문언어 한국어
- 저작권 한국교통대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
초록/요약
In this paper, we analyzed the channel potential after the DCP and NLSB in 16-layer 3D NAND Flash Memory in a time transient dynamic. The main cell channel of the 3D NAND flash structure is not directly connected to the substrate and is easily floated by the DCP and NLSB. Over time, the channel potential of DCP increased, and the channel potential of NLSB decreased. Also, in DCP, recovery occurred in the order of P1, P2, and P3, and in NLSB, the channel potential changed in the order of P3, P2, and P1. The channel potential recovery speed after DCP and NLSB is affected by electrons and holes concentration in the channel and spacer.
more목차
Ⅰ. 서론 1
1.1. 연구의 배경 1
1.2. DCP(Down Coupling Phenomenon) 5
1.3. NLSB(Natural Local Self Boosting) 7
Ⅱ. 시뮬레이션 과정 9
2.1. TCAD를 사용한 3D NAND flash memory 설계 9
Ⅲ. 결과 및 분석 13
3.1. DCP Transient Time에 따른 채널 전위 분석 13
3.2. NLSB Transient Time에 따른 채널 전위 분석 18
Ⅳ. 결론 26